Как работает память EEPROM?

Принцип работы памяти EEPROM основан на изменении и регистрации электрического заряда в изолированной области (кармане) полупроводниковой структуры 1.

Изменение заряда («запись» и «стирание») производится приложением между затвором и истоком большого потенциала, чтобы напряжённость электрического поля в тонком диэлектрике между каналом транзистора и карманом оказалась достаточна для возникновения туннельного эффекта 1. Для усиления эффекта туннелирования электронов в карман при записи применяется небольшое ускорение электронов путём пропускания тока через канал полевого транзистора (явление инжекции горячих носителей) 1.

Чтение выполняется полевым транзистором, для которого карман выполняет функцию затвора 1. Потенциал плавающего затвора изменяет пороговые характеристики транзистора, что и регистрируется цепями чтения 1.

Основная особенность классической ячейки EEPROM — наличие второго транзистора, который помогает управлять режимами записи и стирания 1.